| 发明名称 | 利用磁畴壁移动的信息存储装置和制造该装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种利用磁畴壁移动的信息存储装置和制造该装置的方法。所述信息存储装置包括：写入磁层，包含磁畴壁；信息存储磁层，连接到写入磁层，并包含至少一个磁畴壁。该信息存储磁层装置还包括用于读取记录在该信息存储磁层中的数据的读取器。连接层包括与写入磁层相邻的具有第一宽度的第一部分和与至少一个信息存储磁层相邻的具有第二宽度的第二部分，其中，第一宽度小于第二宽度。 | ||
| 申请公布号 | CN101211652A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710305865.9 | 申请日期 | 2007.12.28 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林志庆 |
| 分类号 | G11C11/16(2006.01);H01L27/22(2006.01);H01L43/00(2006.01);H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01) | 主分类号 | G11C11/16(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 郭鸿禧;安宇宏 |
| 主权项 | 1.一种信息存储装置，包括：写入磁层，包括至少一个磁畴壁；至少一个信息存储磁层，通过连接层来连接到所述写入磁层，所述至少一个信息存储磁层包括至少一个磁畴壁；读取器，用于读取记录在所述至少一个信息存储磁层中的数据，其中，连接层的宽度从所述写入磁层向所述信息存储磁层逐渐变小。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||