发明名称 内连线结构及其形成方法
摘要 一种内连线结构,其用以连接位于薄膜晶体管阵列基板非显像区的两隔离金属线。一第一金属线设置于一基板上,并以一第一绝缘层覆盖;将一第二金属线设置于该第一绝缘层之上,且由一第二绝缘层所覆盖;将一氧化铟锡接线设置于该第二绝缘层上,并将该第一与第二金属线相互电连接。一保护层设置于该第二绝缘层之上,并具有一开口于其中以暴露及围绕于该氧化铟锡接线。
申请公布号 CN100399170C 申请公布日期 2008.07.02
申请号 CN200410055625.4 申请日期 2004.07.30
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 陈坤宏
分类号 G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01) 主分类号 G02F1/136(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种内连线结构,其包括:一基板;多条第一金属线,设置于该基板上;一第一绝缘层,设置于该基板上,且覆盖于该第一金属线;多条第二金属线,设置于该第一绝缘层上;一第二绝缘层,覆盖于该第二金属线;多个氧化铟锡接线,各连接一对第一与第二金属线;以及保护层,设置于该第二绝缘层之上,并具有多个开口于其中,在每个开口中暴露及围绕一个氧化铟锡接线。
地址 台湾省新竹市