发明名称 |
内连线结构及其形成方法 |
摘要 |
一种内连线结构,其用以连接位于薄膜晶体管阵列基板非显像区的两隔离金属线。一第一金属线设置于一基板上,并以一第一绝缘层覆盖;将一第二金属线设置于该第一绝缘层之上,且由一第二绝缘层所覆盖;将一氧化铟锡接线设置于该第二绝缘层上,并将该第一与第二金属线相互电连接。一保护层设置于该第二绝缘层之上,并具有一开口于其中以暴露及围绕于该氧化铟锡接线。 |
申请公布号 |
CN100399170C |
申请公布日期 |
2008.07.02 |
申请号 |
CN200410055625.4 |
申请日期 |
2004.07.30 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
陈坤宏 |
分类号 |
G02F1/136(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/136(2006.01) |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波;侯宇 |
主权项 |
1.一种内连线结构,其包括:一基板;多条第一金属线,设置于该基板上;一第一绝缘层,设置于该基板上,且覆盖于该第一金属线;多条第二金属线,设置于该第一绝缘层上;一第二绝缘层,覆盖于该第二金属线;多个氧化铟锡接线,各连接一对第一与第二金属线;以及保护层,设置于该第二绝缘层之上,并具有多个开口于其中,在每个开口中暴露及围绕一个氧化铟锡接线。 |
地址 |
台湾省新竹市 |