集成微传感器的制备方法

摘要

本发明提供了一种基于SOI技术的集成微传感器的制备方法，属于微机电系统和集成电路技术领域。该方法基于Post－CMOS或Intermediate－CMOS工艺，利用SOI CMOS工艺和SOI微机械加工技术，在SOI硅片上实现微传感器阵列与信号调理等电路的单片集成。本发明工艺简单、加工成本低、体积小、可靠性高，该集成传感器在医学、环境、食品、军事等领域具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种集成微传感器的制备方法，包括：(1)在SOI硅片上进行光刻和刻蚀，定义CMOS电路的有源区和传感器的器件区，之后生长场区氧化层，形成硅岛，然后去除SOI硅片上的氮化硅；(2)N-和P-离子注入，调节NMOS和PMOS管的阈值电压，并制备组成惠斯通电桥的力敏电阻；(3)淀积多晶硅并离子注入，定义多晶硅栅、多晶硅引线和多晶硅电阻；(4)对NMOS和PMOS管进行源漏区离子注入和体接触区注入；(5)定义接触孔后淀积金属，干法刻蚀或湿法腐蚀金属，定义电路及传感器的金属引线；(6)光刻并定义形成传感器结构的微槽图形，并利用反应离子刻蚀槽区的钝化层、器件层和埋氧层；(7)各向同性刻蚀微槽内的硅，利用埋氧层停止刻蚀，得到释放的传感器结构。