| 发明名称 | 刻蚀导电复合层的方法 | ||
| 摘要 | 一种刻蚀导电复合层的方法，包括下列步骤：在硅衬底上依次形成氧化硅层、导电复合层及图案化光阻层；将带有氧化硅层、导电复合层及图案化光阻层的硅衬底放入刻蚀反应室中；将反应室的刻蚀压力从6～10毫托增大至10～30毫托；以图案化光阻层为掩膜，刻蚀导电复合层至露出氧化硅层。经过上述步骤，最终形成的半导体器件剖面平整，沟槽或接触孔侧壁的垂直度好，且制作半导体器件的时间缩短，进而使芯片产率提高。 | ||
| 申请公布号 | CN101211782A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200610148012.4 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 崔红星;陈骏;傅海林;杨渝书 |
| 分类号 | H01L21/3213(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3213(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种刻蚀导电复合层的方法，其特征在于，包括下列步骤：在硅衬底上依次形成氧化硅层、导电复合层及图案化光阻层；将带有氧化硅层、导电复合层及图案化光阻层的硅衬底放入刻蚀反应室中；将反应室的刻蚀压力从6～10毫托增大至10～30毫托；以图案化光阻层为掩膜，刻蚀导电复合层至露出氧化硅层。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||