| 发明名称 | 对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法，对掺杂后的硼硅玻璃或者硼磷硅玻璃采用氧气或者氧化亚氮在射频下进行等离子体处理。本发明采用氧气或者氧化亚氮在射频下对掺杂后的硼硅玻璃或者硼磷硅玻璃进行等离子体处理，不仅可以使得掺质未掺杂玻璃超薄薄膜表面氧化，形成稳定的界面，避免硼磷气体外时释，而且所需温度较低，器件受热情况明显改善。 | ||
| 申请公布号 | CN101209907A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200610148165.9 | 申请日期 | 2006.12.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 孙玲玲;周俊;单伟中 |
| 分类号 | C03C21/00(2006.01) | 主分类号 | C03C21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种对未掺杂硅玻璃掺杂的表面处理方法，其特征是，对掺杂后的硼硅玻璃或者硼磷硅玻璃采用氧气或者氧化亚氮在射频下进行等离子体处理。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||