| 发明名称 | 具有电荷俘获层的非易失性存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种非易失性存储器件，包括：基板；在基板上方的隧道层；在隧道层上方的电荷俘获层，包括氮化物层和氮化硅硼层；在电荷俘获层上方的阻隔层；和布置在阻隔层上的控制栅电极。此外，还提供了一种非易失性存储器件，包括：基板；在基板上方的隧道层；在隧道层上方的电荷俘获层，包括第一氮化物层、氮化硅硼层和第二氮化物层；在电荷俘获层上方的阻隔层；和布置在阻隔层上的控制栅电极。本发明还涉及非易失性存储器件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101211987A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710149632.4 | 申请日期 | 2007.09.10 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 周文植;皮升浩;金龙洙 |
| 分类号 | H01L29/792(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L29/792(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 彭久云 |
| 主权项 | 1.一种非易失性存储器件，包括：基板；在所述基板上方的隧道层；在所述隧道层上方的电荷俘获层，包括氮化物层和氮化硅硼层；在所述电荷俘获层上方的阻隔层；和在所述阻隔层上方的控制栅电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||