| 发明名称 | 高电压晶体管元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种高电压晶体管元件及其制造方法，具体涉及一种用在高电压下的晶体管元件中的蚀刻停止层，该蚀刻停止层为一电阻率大于10Ω/cm的高电阻薄膜，当栅极电压超过5V时，可用来预防漏电流及改善崩溃电压。本发明的高电压元件的制造方法，可相容于低电压元件及中等电压元件的制程。 | ||
| 申请公布号 | CN100399580C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200510124242.2 | 申请日期 | 2005.11.29 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 陈忠义;关欣;陈枝城;叶任贤;张启宣;刘俊秀;宋自强;刘家玮;张介亭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/314(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 1.一种高电压晶体管元件，其特征在于，所述高电压晶体管元件包括：一栅极结构，置于一半导体基底的一高电压元件区域上；至少一扩散区域，形成在该高电压元件区域中，且侧面地位于该栅极结构的一侧或两侧；一蚀刻停止层，置于该栅极结构及该扩散区域之上，其中该蚀刻停止层的电阻率大于10Ω/cm；以及一层间介电层，置于该蚀刻停止层之上，且具有至少一接触窗，穿过该层间介电层及该蚀刻停止层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||