| 发明名称 | 位于SOI衬底上的相变存储器单元及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明包括形成相变材料存储器器件的方法和由此制造的相变存储器器件。特殊地，相变存储器器件包括一半导体结构，其包括一具有第一掺杂区并其侧面连接一组第二掺杂区的衬底；位于第一掺杂区上的相变材料；和位于相变材料上的导体，其中当相变材料为第一相时，半导体结构作为双极结型晶体管运行，当相变材料为第二相时，半导体结构作为场效应晶体管运行。 | ||
| 申请公布号 | CN100399599C | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200510054831.8 | 申请日期 | 2005.03.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 斯蒂芬·S·福尔凯伊;亨德里克·哈曼;杰弗里·B·约翰逊;林仲汉;黄汉森 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 付建军 |
| 主权项 | 1.一种存储器结构，包括：一晶体管，其包含发射极、基极和集电极，所述基极有一毗连绝缘层的下表面；以及一包含相变材料衬层的基极触点，所述相变材料衬层的一部分直接位于所述基极的上表面上。 | ||
| 地址 | 美国纽约 | ||