| 发明名称 | 用于图像传感器的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明的实施例涉及一种用于图像传感器的半导体器件和一种制备用于具有微透镜的图像传感器的半导体器件的方法。根据实施例，方法可包括在基板上形成具有空洞的下绝缘膜；在下绝缘膜上形成具有空洞的上绝缘膜；在上绝缘膜上形成具有金属膜的保护绝缘膜；在保护绝缘膜上形成具有特定图案的多个滤色片；在滤色片上形成具有特定曲率的平整化层，以便将滤色片埋入到平整化层中；以及在平整化层上对应滤色片的各个位置处形成多个微透镜。 | ||
| 申请公布号 | CN101211814A | 申请公布日期 | 2008.07.02 |
| 申请号 | CN200710194884.9 | 申请日期 | 2007.12.27 |
| 申请人 | 东部高科股份有限公司 | 发明人 | 朴东彬 |
| 分类号 | H01L21/71(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L27/146(2006.01) | 主分类号 | H01L21/71(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 1.一种方法，包括：在基板上形成具有空洞的下绝缘膜；在所述下绝缘膜上形成具有空洞的上绝缘膜；在所述上绝缘膜上形成具有金属膜的保护绝缘膜；在所述保护绝缘膜上形成具有规定图案的多个滤色片；在所述滤色片上形成具有特定曲率的平整化层；以及在所述平整化层之上在对应所述滤色片位置的各个位置处形成多个微透镜。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||