光子晶体波导分布反馈激光器及制作方法

摘要

一种平面型光子晶体波导分布反馈激光器，其中包括：一衬底；一过渡层用金属有机化学气相淀积方法生长在衬底上；一InGaAsP下势垒层生长在过渡层上；一多量子阱有源区生长在InGaAsP下势垒层上；一InGaAsP上势垒层生长在多量子阱有源区上；该下势垒层、量子阱有源区、上势垒层三层构成激光器的波导区；一一维λ/4相移光栅用电子束曝光和反应离子刻蚀的方法刻蚀在InGaAsP上势垒层上；一InP包层生长在一维λ/4相移光栅上；一InGaAs欧姆接触层生长在InP包层上；一二维光子晶体制作在InGaAs欧姆接触层上面的两侧；一电极制作在InGaAs欧姆接触层的中间；解理成单个管芯。

主权项

1.一种平面型光子晶体波导分布反馈激光器，其特征在于，其中包括：一衬底；一过渡层，该过渡层用金属有机化学气相淀积方法生长在衬底上；一InGaAsP下势垒层，该InGaAsP下势垒层生长在过渡层上；一多量子阱有源区，该多量子阱有源区生长在InGaAsP下势垒层上；一InGaAsP上势垒层，该InGaAsP下势垒层生长在多量子阱有源区上；该下势垒层、量子阱有源区、上势垒层三层构成激光器的波导区；一一维λ/4相移光栅，该一维λ/4相移光栅用电子束曝光和反应离子刻蚀的方法刻蚀在InGaAsP上势垒层上；一InP包层，该InP包层生长在一维λ/4相移光栅上；一InGaAs欧姆接触层，该InGaAs欧姆接触层生长在InP包层上；一二维光子晶体，该二维光子晶体制作在InGaAs欧姆接触层上面的两侧；一电极，该电极制作在InGaAs欧姆接触层的中间。