薄膜晶体管及其制造方法和有机发光二极管显示装置

摘要

本发明提供了一种通过减少留在半导体层中的晶化诱导金属的量而能够改进电学特性和漏电流特性的薄膜晶体管及其制造方法和包括该薄膜晶体管的有机发光二极管显示装置。本发明的薄膜晶体管的制造方法包括以下步骤：在基底上形成第一非晶硅层；通过利用晶化诱导金属使第一非晶硅层晶化为第一多晶硅层；在第一多晶硅层上形成第二非晶硅层；向第二非晶硅层中注入杂质；将第一多晶硅层和第二非晶硅层退火。第一多晶硅层中的晶化诱导金属被转移到第二非晶硅层中，第二非晶硅层被晶化为第二多晶硅层。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：基底；第一半导体层，设置在基底上；第二半导体层，设置在第一半导体层上，第二半导体层具有暴露第一半导体层的预定部分的开口；源极和漏极，连接到第一半导体层和第二半导体层；栅极绝缘层，设置为覆盖源极、漏极和第一半导体层的暴露部分；栅极，设置在通过所述开口暴露的第一半导体层的暴露部分上方的栅极绝缘层上。