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发明名称
半导体装置和形成其图案的方法
摘要
形成半导体装置之精细图案的方法,其包括:在半导体基板上形成第一硬遮罩层和在第一硬遮罩层上形成第二硬遮罩层、使用线/空间遮罩做为蚀刻遮罩而选择性蚀刻第二硬遮罩层和第一硬遮罩层以形成第二硬遮罩层图案和第一硬遮罩层图案、形成绝缘膜而填充第二硬遮罩层图案和第一硬遮罩层图案、使用绝缘膜做为蚀刻遮罩而选择性蚀刻第二硬遮罩层图案和其底下的第一硬遮罩层图案以形成覆盖第三硬遮罩层图案的第四硬遮罩层图案、移除绝缘膜和第四硬遮罩层图案、使用第三硬遮罩层图案做为蚀刻遮罩而将半导体基板做出图案,以形成精细图案。
申请公布号
TW200828406
申请公布日期
2008.07.01
申请号
TW096121719
申请日期
2007.06.15
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
潘槿道;卜圭
分类号
H01L21/027(2006.01)
主分类号
H01L21/027(2006.01)
代理机构
代理人
桂齐恒;阎启泰
主权项
地址
韩国
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