具导电凸块之半导体装置及其制法

摘要

一种具导电凸块之半导体装置及其制法,主要系在设有焊垫及保护层之半导体基材上形成与该焊垫电性导接之第一金属层,并覆盖一外露出部分第一金属层之第二覆盖层,接着于该第二覆盖层上形成与该第一金属层外露部分电性导接之第二金属层,并覆盖一第三覆盖层,且令该第三覆盖层设有开孔以外露出部分第二金属层,俾于该开孔中之第二金属层上形成包含有金属柱及焊锡材料之导电凸块,藉以利用该些覆盖层及金属层提供缓冲效果,以避免知形成于焊垫上之焊块底部金属层因直接承受金属柱所传递之应力(stress)作用而发生脱层问题。