使用自旋力矩转移写入之磁性随机存取记忆体的结构以及其制造方法

摘要

奈米磁性元件包括具有第一磁化方向且具有中心轴之第一硬磁体。元件亦包括藉由介电衬垫与第一硬磁体分离之第二硬磁体。第二硬磁体具有与第一硬磁体之第一磁化方向相反的第二磁化方向及中心轴,使得在第一硬磁体与第二硬磁体对准时,经由第一及第二硬磁体来形成封闭磁通量回路。元件另外包括具有中心轴之铁磁性自由层。自旋力矩转移电流沿着第一及第二硬磁体及铁磁性自由层的中心轴传递,且影响铁磁性自由层之磁化方向。