半导体装置

摘要

当行间隔件设于与TFT重叠的区时,有将在相互附接一对基板时施加压力之利害关系,其可能导致对TFT的不利影响及裂缝形成。在行间隔件下方以无机材料形成之虚拟层,该行间隔件形成于与TFT重叠之位置。虚拟层位于与TFT重叠之位置,使得于附接该对基板的步骤中施加至TFT之压力被分布及释放。较佳地以如像素电极的相同材料形成之虚拟层,以形成该虚拟层而不会增加处理步骤的数量。