| 主权项 |
1.一种电流可抹除可程式唯读记忆体之元件,至少 包含: 一浮动闸极电极具有复数电荷转换点之尖锐尖端, 该些电荷转换点之尖锐尖端沿着该浮动闸极电极 的延伸方向依次排列,使该浮动闸极电极上表面之 外部边缘成锯齿状。 2.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中该些电荷转换点之尖锐尖 端包含至少三个尖锐尖端。 3.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中该些电荷转换点之尖锐尖 端包含相邻之复数尖起区域与复数山谷区域,以形 成该外部边缘部份之一缺口边缘。 4.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中各一该些电荷转换点之尖 锐尖端系在该浮动闸极电极之一面向上平面中,沿 着该缺口外部边缘具有一角度,该角度大体为 40~150度。 5.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中各一该些电荷转换点之尖 锐尖端系在该浮动闸极电极之一厚度方向平面中, 沿着该缺口外部边缘具有一角度,该角度大体 为30~75度。 6.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中该外部边缘部份之厚度大 于该浮动闸极电极之内部部分。 7.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中该浮动闸极电极包含一对 浮动闸极电极,沉积于一中央电极的两侧,且以一 绝缘间隙壁分隔开来。 8.如申请专利范围第7项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中更包括一第二绝缘介电层 ,沉积于该浮动闸极电极与该中央电极之表面。 9.如申请专利范围第7项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中该中央电极包括一源极电 压电极。 10.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中更包括一字元线电极,邻 近设置于该浮动闸极电极,且以一穿隧介电层使得 该字元线电极与该浮动闸极电极分隔开来。 11.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中该浮动闸极电极相较于一 不具有电荷转换尖锐尖端之外部边缘的浮动闸极 电极,具有较小之一抹除电压。 12.如申请专利范围第1项所述之电流可抹除可程式 唯读记忆体之元件,其中该浮动闸极电极包含多晶 矽。 13.一种电流可抹除可程式唯读记忆体之元件的形 成方法,至少包含下列步骤: 形成具有复数电荷转换点之尖锐尖端之一浮动闸 极电极,该些电荷转换点之尖锐尖端沿着该浮动闸 极电极的延伸方向依次排列,使该浮动闸极电极上 表面之外部边缘成锯齿状。 14.如申请专利范围第13项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中该外部边缘 部份具有比该浮动闸极电极之一中央部份较大之 厚度。 15.如申请专利范围第13项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中形成该浮动 闸极之步骤中包括:乾蚀刻一多晶矽层。 16.如申请专利范围第15项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中乾蚀刻之化 学成分在乾蚀刻制程中同位产生一聚合物,以使得 该外部边缘部份优先被蚀刻。 17.如申请专利范围第15项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中乾蚀刻之化 学成分包括溴化氢(HBr)。 18.如申请专利范围第15项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中在乾蚀刻之 前,同位产生一聚合物于该浮动闸极电极表面。 19.如申请专利范围第13项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中形成该浮动 闸极电极之步骤包括: 形成复数第一介电绝缘间隙壁于一介电罩幕层之 间,该些第一介电绝缘间隙壁位于浮动闸极多晶矽 层之上定义出一中央电极开口,该中央电极开口系 延伸穿透该浮动闸极多晶矽层; 形成一第二组绝缘介电间隙壁于该中央电极开口 中,以覆盖该浮动闸极多晶矽层之侧壁部分;以及 填入多晶矽于该中央电极开口中,以形成该中央电 极。 20.如申请专利范围第13项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中更包括下列 步骤: 形成一多晶矽字元线电极于该浮动闸极电极之邻 近处,该字元线电极系以一穿隧介电层而与该浮动 闸极电极分隔开来。 21.如申请专利范围第13项所述之电流可抹除可程 式唯读记忆体之元件的形成方法,其中相较于不具 有电荷转换点之尖锐尖端的外部边缘之浮动闸极, 该浮动闸极电极之形成系用以降低一抹除电压。 22.一种电流可抹除可程式唯读记忆体之元件,至少 包含: 一浮动闸极电极,包含一外部边缘部分,该外部边 缘部分包含复数电荷转换点之尖锐尖端,其中每一 该些电荷转换点之尖锐尖端系在该浮动闸极电极 之一面向上平面中,沿着该缺口外部边缘具有一 角度,该角度大体为40~150度。 23.一种电流可抹除可程式唯读记忆体之元件,至少 包含: 一浮动闸极电极,包含一外部边缘部分,该外部边 缘部分包含复数电荷转换点之尖锐尖端,其中每一 该些电荷转换点之尖锐尖端系在该浮动闸极电极 之一厚度方向平面中,沿着该缺口外部边缘具有一 角度,该角度大体为30~75度。 图式简单说明: 请参照第1A-1G图,其绘示依照本发明一较佳实施例 的一种电流可抹除可程式唯读记忆体元件的制程 剖面示意图。 第2A-2B图,其绘示依照本发明一较佳实施例的浮动 闸极电极之边缘部份的立体图。 第3图,其绘示依照本发明一较佳实施例的一种电 流可抹除可程式唯读记忆体元件的抹除电压图示 。 第4图,其显示依照本发明各个较佳实施例的制程 流程图。 |
