| 摘要 |
本发明系提供一种形成双道金属镶嵌构造中使具金属之基板所层合之低诱电体层(low-k层)进行蚀刻后,形成第1蚀刻空间,填入牺牲层于该第1蚀刻空间后,更将部份之低诱电体层与牺牲层进行蚀刻后,形成连通于该第1蚀刻空间之第2蚀刻空间之后,为去除残存于该第1蚀刻空间内牺牲层所使用之洗净液者,含有(a)TMAH,胆硷等第4级铵氢氧化物1~25质量%,(b)水溶性有机溶媒30~70质量%,(c)水20~60质量%之洗净后。本发明之洗净液于设置金属层(Cu层等)与低诱电体膜之基板上所形成金属配线中,具良好去除形成双道金属镶嵌构造时所使用之牺牲层,且不使低诱电体层不受损者。 |
| 主权项 |
1.一种洗净液,其特征系于形成双道金属镶嵌构造 中,将层合于具有金属层之基板之低诱电体层进行 蚀刻,形成第1蚀刻空间,将牺牲层填充于该第1蚀刻 空间内后,更进一步将低诱电体层与牺牲层进行部 份蚀刻,形成与该第1蚀刻空间连通之第2蚀刻空间 后,去除残留于该第1蚀刻空间内之牺牲层所用的 洗净液,其中含有(a)下述一般式(I) [式中,R1,R2,R3,R4分别为独立之碳原子数1~4之烷基或 羟烷基] 所示之第4级铵氢氧化物1~25质量%,(b)水溶性有机溶 媒30~70质量%,及(c)水20~60质量%。 2.如申请专利范围第1项之洗净液,其中该牺牲层为 旋转玻璃材料所构成。 3.如申请专利范围第2项之洗净液,其中该洗净液于 旋转玻璃材料中含有吸光性物质。 4.如申请专利范围第1项之洗净液,其中该(a)成份为 四甲铵氢氧化物及/或(2一羟乙基)三甲铵氢氧化物 。 5.如申请专利范围第1项之洗净液,其中该(b)成份为 二甲亚者。 6.如申请专利范围第1项之洗净液,其中含有(a)成份 8~12质量%,(b)成份40~60质量%,及(c)成份30~50质量%。 7.如申请专利范围第1项之洗净液,其中进一步含有 (d)含氢硫基化合物及/或(e)下述一般式(II) [式中,R5,R6,R7,R8系分别独立之碳原子数1~20之烷基 或羟烷基(惟,R5,R6,R7,R8中至少1个为碳原子数10以上 之烷基,或R5,R6,R7,R8中至少2个为碳原子数2~5之羟烷 基者] 所示之第4级铵氢氧化物(惟,除(a)成份以外之化合 物)。 8.一种具有双道金属镶嵌构造之基板的处理方法, 其特征蚀刻层合于具有金属层之基板上之低诱电 体层,形成第1蚀刻空间,将牺牲层填充于该第1蚀刻 空间内后,更进行低诱电体层与牺牲层之部份蚀刻 ,形成与该第1蚀刻空间连通之第2蚀刻空间后,使如 申请专利范围第1项至第7项中任一项之洗净液与 残留于该第1蚀刻空间内之牺牲层接触后,去除该 牺牲层。 |
