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发明名称
晶圆级封装增层中之介电层结构
摘要
本发明揭露一种晶圆级封装中包含数贯通开口之弹性介电层结构,用以吸收压力。本发明包含一弹性介电层;其中弹性介电层材料至少包含矽为基材之材料,例如,矽氧类高分子,苯环丁烯与氮化矽,上述材料具有特定之热膨胀系数,延展系数与硬度范围。该弹性介电层可改善晶圆级封装结构于温度循环测试时之机械性质可靠性。重分布层与介电层间的热膨胀系数差异会造成介电层破裂,因此,本发明更揭露一晶圆级封装之介电层结构,于邻近重分布层弯曲处形成数贯通开口,以降低邻近重分布层/介电层介面附近之累积压力,避免介电层破裂。
申请公布号
TW200828546
申请公布日期
2008.07.01
申请号
TW096146345
申请日期
2007.12.05
申请人
育霈科技股份有限公司
发明人
杨文焜;余俊辉;周昭男;林志伟;黄清舜
分类号
H01L23/485(2006.01);H01L23/18(2006.01)
主分类号
H01L23/485(2006.01)
代理机构
代理人
林静文
主权项
地址
新竹县湖口乡新竹工业区光复北路65号
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