发明名称 错误覆盖分析法
摘要 一种错误覆盖分析方法,适用于分析一产品的多个晶片测试项目,以决定该产品的一测试模块。此方法包括:依序对该产品的多个测试标的物进行所述晶片测试项目,其中,根据每一测试项目产生相对应的一测试涵盖范围。于一数据库中,根据所述晶片测试项目相对应储存所述测试涵盖范围。根据该数据库中的每一所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围,选择部份所述晶片测试项目组成一测试模块,其中该测试模块的一错误覆盖范围是组成该测试模块的部份所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围的一联集。
申请公布号 CN101206238A 申请公布日期 2008.06.25
申请号 CN200610168648.5 申请日期 2006.12.20
申请人 力晶半导体股份有限公司 发明人 张延生;刘东昱
分类号 G01R31/00(2006.01);G01R31/28(2006.01);H01L21/66(2006.01);G06Q10/00(2006.01) 主分类号 G01R31/00(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 蒲迈文;黄小临
主权项 1.一种错误覆盖分析方法,适用于分析一产品的多个晶片测试项目,以决定该产品的一测试模块,其包括:依序对该产品的多个测试标的物进行所述晶片测试项目,其中,根据每一测试项目产生相对应的一测试涵盖范围;于一数据库中,根据所述晶片测试项目相对应储存所述测试涵盖范围;以及根据该数据库中的每一所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围,选择部份所述晶片测试项目组成一测试模块,其中该测试模块的一错误覆盖范围是组成该测试模块的部份所述晶片测试项目的相对应所述测试涵盖范围的一联集。
地址 中国台湾新竹科学工业园区