| 发明名称 | 一种多比特可编程非易失性存储单元及其设计方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种可编程非易失性存储单元及其设计方法，包括电容器，所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成，其中，阻挡层为该电容器的介质层；所述电容器在不同预定电压作用下，经过不同预定作用时间后，产生多种预定电阻值；所述多种预定电阻值用于对多比特数据进行存储。通过本发明为用户提供一套具有存储单元面积小，集成密度高，有利于大规模集成电路应用等优点的可编程非易失性存储单元的设计解决方案。 | ||
| 申请公布号 | CN101207133A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710179340.5 | 申请日期 | 2007.12.12 |
| 申请人 | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 | 发明人 | 朱一明;胡洪 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01);H01L21/8247(2006.01);G11C16/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/115(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 许静 |
| 主权项 | 1.一种多比特可编程非易失性存储单元，包括电容器，其特征在于，所述电容器由金属层、接触孔、阻挡层和多晶硅依次连接形成，其中，阻挡层为该电容器的介质层；所述电容器在不同预定电压作用下，经过不同预定作用时间后，产生多种预定电阻值；所述多种预定电阻值用于表征存储单元的多种存储状态。 | ||
| 地址 | 100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 | ||