| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：硅衬底、形成在所述硅衬底的表面上的n型沟道区、与所述n型沟道区的表面相对形成的n型源区和n型漏区、形成在所述n型源区和所述n型漏区之间的所述n型沟道区的所述表面上的第一栅绝缘膜、形成在所述第一栅绝缘膜上的具有金属元素M和第一IV族半导体元素Si<SUB>1-a</SUB>Ge<SUB>a</SUB>(0≤a≤1)的化合物的第一栅极、形成在所述硅衬底的所述表面上的p型沟道区、与所述p型沟道区的表面相对形成的p型源区以及p型漏区、形成在所述p型源区以及所述p型漏区之间的所述p型沟道区的所述表面上的第二栅绝缘膜、形成在所述第二栅绝缘膜上的具有所述金属元素M和第二IV族半导体元素Si<SUB>1-c</SUB>Ge<SUB>c</SUB>(0≤c≤1，a≠c)的化合物的第二栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN100397657C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200410098350.2 | 申请日期 | 2004.12.03 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 土屋义规;入沢寿史;木下敦宽;古贺淳二 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L27/092(2006.01);H01L29/43(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：硅衬底和形成在所述硅衬底上的n型半导体器件和p型半导体器件；所述n型半导体器件包括：形成在所述硅衬底的表面上的n型沟道区；在所述n型沟道区的两侧相对地形成的n型源区以及n型漏区；形成在所述n型源区以及所述n型漏区之间的所述n型沟道区的所述表面上的第一栅绝缘膜；形成在所述第一栅绝缘膜上的具有金属元素M和第一IV族半导体元素Si1-aGea的化合物的第一栅极，其中，0＜a＜1，所述金属元素M和所述第一IV族半导体元素Si1-aGea的所述化合物包含从As、P和B中选出的一种，并与所述第一栅绝缘膜相接；所述p型半导体器件包括：形成在所述硅衬底的所述表面上的p型沟道区；在所述p型沟道区的两侧相对地形成的p型源区以及p型漏区；形成在所述p型源区以及所述p型漏区之间的所述p型沟道区的所述表面上的第二栅绝缘膜；形成在所述第二栅绝缘膜上的具有所述金属元素M和第二IV族半导体元素Si1-cGec的化合物的第二栅极，其中，a＜c≤1，所述金属元素M和所述第二IV族半导体元素Si1-cGec的所述化合物与所述第二栅绝缘膜相接。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||