| 发明名称 | 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氢化物气相外延(HVPE)氮化镓膜中的低温插入层及制备方法，其特征在于在GaN膜的HVPE制备过程中采用了低温AlN插入层的结构。在HVPE制备GaN膜的过程中，先在GaN模板上低温沉积一层AlN薄层，然后经高温退火后继续HVPE生长GaN层。低温AlN插入层的引入，释放了低温AlN层上继续生长的GaN膜中的应力，从而提高了GaN层的质量。这种方法简单易行，且对于低温AlN层的结晶质量要求不高，适合于科学实验和批量生产时采用，AlN层可以采用化学气相沉积、分子束外延或溅射等方法制备的。 | ||
| 申请公布号 | CN100396816C | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200410053351.5 | 申请日期 | 2004.07.30 |
| 申请人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明人 | 于广辉;雷本亮;叶好华;齐鸣;李爱珍 |
| 分类号 | C23C16/00(2006.01);C23C14/34(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | C23C16/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1.一种氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层，其特征在于：(1)低温插入层为低温沉积的AlN；(2)低温插入层是沉积在以Al2O3或者GaAs为衬底，先在该衬底上生长一层作模板的GaN外延层上。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区长宁路865号 | ||