| 发明名称 | 通过后PECVD沉积UV处理增加氮化硅膜的拉伸应力的方法 | ||
| 摘要 | 单独或合并使用一或多种技术，而可在一沉积层中，诸如氮化硅，得致高拉伸应力。要获得高拉伸应力，通过将一表面于无一等离子体状态下曝露于一含硅前导气体以在该表面上形成一含硅层，再将该含硅层曝露于一含氮等离子体以形成氮化硅，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的厚度。要获得高拉伸应力，也可将一表面于一第一含氮等离子体中曝露于一含硅前导气体，再将材质以一第二含氮等离子体进行处理，然后重复这些步骤以增加由此制作的氮化硅的一厚度。在另一实施例中，通过于沉积过程中伴随使用一成孔剂(porogene)而增强膜层的拉伸应力，这些成孔剂在后续曝露于UV辐射或等离子体处理下即被释出。 | ||
| 申请公布号 | CN101208783A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200680014729.8 | 申请日期 | 2006.05.18 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | M·柏尔西柳;M·S·考克斯;夏立群;谢美晔;J·李;V·佐泊考伏;黄祖芳;王荣平;I·罗夫烙克斯;H·莫萨德 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01);H01L21/318(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01);C23C16/34(2006.01) | 主分类号 | H01L21/314(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陆嘉 |
| 主权项 | 1.一种形成氮化硅的方法，该方法包含：(i)配置含一表面的基板于一制程室中；(ii)在无等离子体的状态，将位于该制程室的该表面曝露于一含硅之前导气体中，而在该表面上形成一含硅层；(iii)将位于该制程室的该含硅层曝露于一含氮等离子体而形成氮化硅；及重复步骤(ii)-(iii)以增加该氮化硅的一厚度。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||