| 发明名称 | 利用磁畴壁的移动的信息存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种信息存储装置及该信息存储装置的制造方法。该信息存储装置包括磁层和供应单元。所述磁层包括多个区：具有第一磁各向异性能的第一区和具有第二磁各向异性能的第二区。所述第一区和所述第二区被交替布置，并且所述第二区被掺杂杂质离子。所述第二磁各向异性能小于所述第一磁各向异性能。所述供应单元向所述磁层供应能量以使磁畴壁在所述磁层内移动。 | ||
| 申请公布号 | CN101207176A | 申请公布日期 | 2008.06.25 |
| 申请号 | CN200710169379.9 | 申请日期 | 2007.11.26 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林志庆 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L43/12(2006.01);H01L27/22(2006.01);G11C11/16(2006.01);G11C11/15(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人 | 韩明星;李友佳 |
| 主权项 | 1.一种信息存储装置，包括：磁层，在所述磁层中包括交替布置的至少一个第一区和至少一个第二区，所述至少一个第一区具有第一磁各向异性能，所述至少一个第二区具有第二磁各向异性能，所述至少一个第二区被掺杂杂质离子，所述第一磁各向异性能大于所述第二磁各向异性能。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416 | ||