金属氧化物半导体晶体管的制造方法以及存储器元件的制造方法

摘要

本发明是关于一种金属氧化物半导体晶体管以及存储器元件的制造方法。该金属氧化物半导体晶体管的制造方法是先在基板上形成图案化膜层，以定义出欲形成源极区和漏极区的位置。接着在图案化膜层所暴露出的基底上形成多个区域氧化结构，以定义出沟道区的位置。然后移除图案化膜层，再以区域氧化结构为掩模而在基底中形成源极/漏极区。然后再移除区域氧化结构，而使基底上自然形成多个凹陷区域。接着在基底上形成栅绝缘层，再在凹陷区域上方的栅绝缘层上形成栅极。由于凹陷形的沟道区具有较长的长度，因此可避免金属氧化物半导体晶体管发生短沟道效应。

主权项

1.一种金属氧化物半导体晶体管的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：在一基底上形成一图案化膜层，以暴露出部分的该基底；进行一区域氧化工艺，以在该图案化膜层所暴露出的该基底上形成一区域氧化结构；移除该图案化膜层，以暴露出该区域氧化结构两侧的该基底；在该区域氧化结构两侧的该基底中分别形成一源极区以及一漏极区；移除该区域氧化结构，而在该源极区与该漏极区之间形成一凹陷区域；在该基底上形成一栅绝缘层；以及在该凹陷区域上方的该栅绝缘层上形成一栅极。