| 摘要 |
Полевой МДП-транзистор, содержащий полупроводниковую подложку первого типа проводимости, затвор из проводящего материала, расположенный на упомянутой полупроводниковой подложке и изолированный от нее слоем диэлектрика, области стока, истока второго типа проводимости, при этом области стока, истока содержат два последовательно включенных участка, один из которых, главный, имеет высокую концентрацию легирующей примеси, а дополнительный участок, расположенный между каналом и главным участком, имеет низкую концентрации легирующей примеси, отличающийся тем, что вышеуказанный дополнительный участок стока, расположенный между каналом и вышеуказанным главным участком стока, истока, простирается в вышеуказанную полупроводниковую подложку глубже, чем вышеуказанный главный участок стока, истока, и заключает этот главный участок стока, истока внутри себя, перекрывая его в полупроводниковой подложке, а на поверхности полупроводниковой подложки граница этого дополнительного участка с одной стороны как минимум совмещена с проекцией одной из сторон затвора на полупроводниковую подложку и как минимум с двух других сторон отстоит от границы области охраны на величину не меньшую, чем сумма величин ширины областей пространственного заряда, образуемых в полупроводниковой подложке областями стока, истока и областью охраны, при этом проекция торцевых областей концов затвора на поверхность полупроводниковой подложки совмещена с границей области охраны, а вся поверхность полупроводниковой подложки, включая области стока, истока, область охраны и область полупроводниковой подложки, расположенной между упомянутыми |
