| 摘要 |
반도체 기판 상에 수퍼 접합 구조를 형성한 후 차아지 밸런스 (charge balance) 의 열화를 억제하고 우수한 내압 특성을 유지하기 위해서, 복수의 주상의 제 1 에피택셜층들을 기판 본체의 표면에 소정의 간격으로 각각 형성하고, 복수의 제 2 에피택셜층들을 복수의 제 1 에피택셜층들 사이의 트렌치에 각각 형성한다. 기판 본체의 표면에 평행한 표면의 제 1 에피택셜층에 포함된 도펀트의 농도 분포를 기판 본체의 표면에 평행한 표면의 제 2 에피택셜층에 포함된 도펀트의 농도 분포와 일치시키도록 구성된다. |
