| 摘要 |
Eine Halbleitervorrichtung, die mehrere aktive und passive Elemente auf einem Halbleitersubstrat aufweist, wird auch dann auf die folgende kostenrentable Weise hergestellt, wenn die aktiven und passiven Elemente doppelseitige Elektrodenelemente beinhalten. Wenn das Halbleitersubstrat in mehrere Feldbereiche geteilt ist, umgibt ein Isolationstrenngraben, der das Halbleitersubstrat durchdringt, jeden der Feldbereiche und jedes der entweder mehreren aktiven Elemente oder der mehreren passiven Elemente. Weiterhin weist jedes der mehreren Elemente ein Paar von Leistungselektroden zur Energieversorgung auf, die auf jeder von beiden Seiten des Halbleitersubstrats angeordnet sind, um als die doppelseitigen Elektrodenelemente zu dienen. |
