| 主权项 |
1.一种用以在氧化物膜上研磨氮化物膜之CMP黏浆 组合物,包括一研磨料以及磷酸,研磨料之含量为 黏浆重量之0.1至20%,磷酸之含量为黏浆重量之0.01 至20%,及该CMP黏浆具有大于1之氮化物除以氧化物 之一选择性比率, 其中该研磨料系由CeO2、MnO2、ZrO2、Al2O3或其结合 物所组成之群组中所选出的。 2.如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物,其中黏浆 组合物之pH范围为1至5。 3.如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物,其中黏浆 组合物之pH范围为1至3。 4.如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物,其中黏浆 组合物之pH范围为1至2。 5.如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物,其中磷酸 之含量为黏浆之0.2至10%。 6.如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物,其中研磨 料之颗粒粒径为100奈米至500奈米。 7.如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物,尚包括缓 冲溶液。 8.如申请专利范围第7项之CMP黏浆组合物,其中之缓 冲溶液包括含羟基(-OH)之化合物。 9.一种用以在氧化物膜上研磨氮化物膜之CMP黏浆 组合物,包括一研磨料以及磷酸,研磨料之含量为 黏浆重量之0.1至20%,其中该磷酸以使得组合物之pH 为1至5的含量存在且该研磨料系由CeO2、MnO2、ZrO2 、Al2O3或其结合物所组成之群组中所选出的。 10.如申请专利范围第9项之CMP黏浆组合物,其中黏 浆组合物之pH为1至5。 11.一种图案化SiN或SiON膜之方法,包括下列步骤: 制备具有SiN膜或SiON膜之半导体基材;及 藉由使用如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物, 以CMP制程使SiN或SiON膜形成图案。 12.如申请专利范围第11项之图案化SiN或SiON膜之方 法,尚包括在SiN或SiON膜之下方形成SiO膜以作为一 蚀刻停止层。 13.如申请专利范围第11项之图案化SiN或SiON膜之方 法,其中该方法系用波纹状制程或SAC制程而进行。 14.如申请专利范围第1项之CMP黏浆组合物,其中该 氮化物膜为SiN或SiON。 图式简单说明: 图1说明H3PO4之重量比对黏浆pH改变之图;以及 图2说明N/O选择性对黏浆pH改变之图。 |
