| 主权项 |
1.一种振动器,包括: 一压电薄片,具有一压电特性与一控制厚度; 多数个内部电极,形成本该压电薄片的上与下区域 上; 多数个覆盖层,该些覆盖层之一会形成在其上形成 有该些内部电极的该压电薄片上与下区域上,该些 覆盖层中具有振动凹槽;以及 多数个外部电极,与该些内部电极相连接; 其中该压电薄片系用一浆状薄片形成,而该振动器 系透过同时烧结该压电薄片与该些覆盖层而成,并 且该覆盖层系以一与该振动凹槽连通的烧结通道 形成。 2.一种振动器,包括: 一压电薄片,具有一压电特性与一控制厚度; 多数个内部电极,形成本该压电薄片的上与下区域 上; 多数个覆盖层,该些覆盖层之一会形成在其上形成 有该些内部电极的该压电薄片的上与下区域上,该 些覆盖层中具有振动凹槽; 多数个外部电极,与该些内部电极相连接; 多数个电容外部电极,形成在该覆盖层的至少一表 面上, 其中该压电薄片系用一浆状薄片形成,而该振动器 系透过同时烧结该压电薄片与该些覆盖层而成。 3.一种振动器,包括: 一压电薄片,具有一压电特性与一控制厚度; 多数个内部电极,形成在该压电薄片的上与下区域 上; 至少一对介电质薄片,形成在该压电薄片的至少一 上区域与下区域上,且以电容内部电极形成而成; 多数个覆盖层,其中至少一该些覆盖层会形成在其 上形成有该些内部电极的该压电薄片的每一上与 下区域上,该些覆盖层中具有振动凹槽;以及 多数个外部电极,与该些内部电极相连接; 其中该压电薄片系用一浆状薄片形成,而该振动器 系透过同时烧结该压电薄片与该些覆盖层而成。 4.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之振动器 ,其中该覆盖层包括一第一覆盖层与一第二覆盖层 ,其中该第一覆盖层该镇振动凹槽之通孔,该第二 覆盖层系覆盖该第一覆盖层。 5.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之振动器 ,其中该振动凹槽系以该压电薄片与该覆盖层之间 的有机图案来形成的。 6.如申请专利范围第1至3项中任一项所述之振动器 ,其中该震动器之最外覆盖层是以介电质形成,且 该二侧外部电极与中心外部电极系形成在该覆盖 层的一表面上,该二侧外部电极系与个别之外部电 极连接该中心外部电极则为与该些外部电极连接, 以使得一电容与该压电主体结合。 7.如申请专利范围第1项所述之振动器,其中至少有 一对介电薄片系以该振动器之上区域与下区域至 少其中之一之内部电极形成而成,以使得一电容与 该压电主体结合。 8.如申请专利范围第1项所述之振动器,其中该烧结 通道系填入树脂。 9.如申请专利范围第3项或第7项所述之振动器,其 中该设有电容器之振动器为三节点式,其外部电极 系分别与该振动器两端与中间的该压电部与电容 部的内部电极连接。 10.如申请专利范围第2项或第3项所述之振动器,更 包括一烧结通道,其与振动凹槽及该压电主体之外 部连通。 11.如申请专利范围第10项所述之振动器,其中该烧 结通道系填入树脂。 12.如申请专利范围第1至3项中任何一项所述之振 动器,其中该些内部电极和该些外部电极系以厚膜 沈积或薄膜沈积来形成的,厚膜沈积包括网印,薄 膜沈积法包括溅镀、蒸镀、化学气相沈积或胶体 涂布。 13.如申请专利范围第2项所述之振动器,其中该电 容外部电极包括形成在该覆盖层的一表面上的两 个电容侧外部电极以及一个电容中心外部电极,该 二电容外部电极与个别的该外部电极连接该电容 中心外部电极则未与该外部电极连接。 14.一种振动器,包括: 一积层的元件,至少有两压电薄片; 多数个内部电极,形成在积层的该些压电薄片之间 ; 多数个外部电极,形成在该积层的元件外面;以及 多数个覆盖层,位于该积层元件的上部与下部上; 其中透过控制该些内部电极的图案,使该些内部电 极不会与该些外部电极相连接,并且该覆盖层上形 成有多数个振动凹槽。 15.如申请专利范围第14项所述之振动器,其中每一 该些外部电极系形成在该积层的元件之上、下与 侧面区域上。 16.一种振动器,包括: 一积层的元件,至少有两压电薄片; 多数个内部电极,形成在积层的该些压电薄片之间 ; 多数个外部电极,形成在该积层的元件外面; 导电通道,穿过该积层的元件,且不会与该些内部 电极相连接,而每一均与每一该些外部电极相连接 , 其中透过控制该些内部电极的图案,使该些内部电 极不会与该些外部电极相连接。 17.如申请专利范围第16项所述之振动器,进一步包 括三节点电极于有该振动凹槽形成于其上的该覆 盖层之一表片上,其中有介电质功能之该覆盖层可 以作为电容器。 18.一种振动器,包括: 一积层的元件,至少有两压电薄片; 多数个内部电极,形成在积层的该些压电薄片之间 ; 多数个外部电极,形成在该积层的元件外面;以及 至少一介电质与积层的该压电元件相接合, 其中透过控制该些内部电极的图案,使该些内部电 极不会与该些外部电极相连接。 19.如申请专利范围第18项所述之振动器,其中该介 电质为一积层的或是单一平板型式。 20.如申请专利范围第16、18或19项所述之振动器,其 中作为有节点之一电容器的一介电质基底会被装 置在该积层的元件之下方区域上,且用来保护元件 的一保护盖会被装置在该积层的元件之上方区域 上。 21.如申请专利范围第16、18或19项所述之振动器,其 中形成有外部终端的一绝缘基底会装置在该积层 的元件之下方区域上,且用来保护元件的一保护盖 会被装置在该积层的元件之上方区域上。 22.如申请专利范围第14或17项所述之振动器,其中 该积层的元件与该覆盖层系以环氧基树脂隔绝以 保护元件。 23.一种振动器的制造方法,包括下列步骤: 制作具有预定组成之浆状物制作压电生胚薄片; 在该些生胚薄片的两端形成贯穿孔; 在该些生胚薄片上形成内部电极,以让该些内部电 极不会接触该些贯穿孔,且不会与外部电极相连接 ,此时贯穿孔填充有导电的陶土; 积层至少二该些薄片; 烧结该积层物;以及 形成外部电极于该积层物外部,其并不与该些内部 电极相连接,而在该些贯穿孔填满导电陶土时,与 该些贯穿孔内的导电陶土相连接。 24.如申请专利范围第23项所述之振动器的制造方 法,其中该些内部电极系形成在该些薄片的部分或 接近全部的表面上,以使该些内部电极与该些薄片 的边缘相隔。 25.如申请专利范围第23项所述之振动器的制造方 法,其中该些内部电极与外部电极的形成系使用厚 膜沈积或是薄膜沈积,厚膜沈积包括网印,薄膜沈 积包括溅镀、蒸镀、化学气相沈积或胶体涂布。 图式简单说明: 第1图是一种普通的单一平板式共振器之剖面图; 第2(a)~2(d)图是一种制作普通的单一平板式共振器 之示范图; 第3(a)~3(d)图是根据本发明第一实施例的一种制作 方法的示范图; 第4(a)~4(d)图是根据本发明第二实施例的一种制作 方法的示范图; 第5图是根据本发明第三实施例的一种制作方法的 示范图; 第6图是根据本发明第四实施例的一种制作方法的 示范图; 第7图是根据本发明第五实施例的一种共振器之图 示; 第8图是一种具有内建电容器的共振器之等效电路 图示; 第9a图至第9e图是根据本发明第六实施例的一种共 振器之结构以及其制造方法之图示; 第10a图与第10b(a)~10b(c)图是根据本发明第七实施例 的一种共振器之结构以及其制造方法之图示; 第11图是一种单一平板式共振器的振动图示; 第12a图与第12b图是根据一个配线图的一种共振器 之振动图示; 第13a图与第13b(a)~13b(c)图是根据本发明第八实施例 的一种共振器之结构以及其制造方法之图示; 第14a图至第14d图是根据本发明的第九实施例的一 种共振器之结构以及其制造方法之图示; 第15a图与第15b(a)~15b(c)图是根据本发明的第十实施 例的一种共振器之结构以及其制造方法之图示; 第16a图与第16b(a)~16b(c)图是根据本发明的第十一实 施例的一种共振器之结构以及其制造方法之图示; 第17图是根据本发明第十二实施例的一种共振器 结构; 第18图是根据本发明第十三实施例的一种共振器 结构;以及 第19图是根据本发明第十四实施例的一种共振器 结构。 |
