| 主权项 |
1.一种形成一使用在一主动矩阵液晶显示器(AMLCD) 中的电晶体的方法,该方法至少包含: 提供一玻璃基板; 利用一包含以下步骤的技术来形成一金属闸极于 该玻璃基板上: 沉积一导电种子层于该玻璃基板的一表面上; 沉积一抗蚀剂材料于该导电种子层上; 将该抗蚀剂层形成图案用以将该导电种子层的一 部分露出来;及 利用一电化学沉积技术来沉积一金属层于该导电 种子层的外露部分上。 2.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含去除 该抗蚀剂材料。 3.如申请专利范围第2项所述之方法,其更包含蚀刻 该导电种子层的外露部分。 4.如申请专利范围第3项所述之方法,其更包含: 沉积一或多层介电层于该金属层上;及 形成一或多个源极区及一或多个汲极区于该一或 多层介电层上。 5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该电化学 沉积技术包含电镀或无电沉积。 6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该种子层 包含一金属其系选自于由铜、镍、钨、钼、钴、 钌、钛、锆、铪、铌、钽、钒、铬、锰、铁、钯 、铂、铝、及它们的组合所组成的组群中,及该玻 璃基板包含一材料其系选自于由未被掺杂的矽酸 玻璃(USG)、掺杂磷的玻璃(PSG)、掺杂硼磷的玻璃( BPSG)、钠钙玻璃、硼矽酸盐玻璃、硼矽酸钠玻璃 、硷金属硼矽酸盐玻璃、铝矽酸盐玻璃、铝硼矽 酸盐玻璃、硷土铝硼矽酸盐玻璃、硷土金属铝硼 矽酸盐玻璃、或它们的组合所组成的组群中。 7.如申请专利范围第1项所述之方法,其更包含在该 种子层的沉积之前沉积一阻障层于该玻璃基板的 一表面上。 8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该种子层 系利用一选自于由热化学气相沉积、电浆化学气 相沉积、原子层沉积、蒸发、及它们的组合所组 成的组群中的处理来沉积的。 9.一种形成一使用在一主动矩阵液晶显示器(AMLCD) 中的电晶体的方法,该方法至少包含: 提供一玻璃基板; 沉积一导电种子层于该玻璃基板的一表面上; 沉积一抗蚀剂材料于该导电种子层上; 将该抗蚀剂层形成图案用以暴露出该导电种子层; 蚀刻该导电种子层的外露部分; 去除该抗蚀剂材料;及 利用一电化学沉积技术来沉积一金属层于该导电 种子层的残余部分上。 10.如申请专利范围第9项所述之方法,其更包含沉 积一介电层于该金属层上。 11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该电化 学沉积技术包含电镀或无电沉积。 12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该种子 层包含一金属其系选自于由铜、镍、钨、钼、钴 、钌、钛、锆、铪、铌、钽、钒、铬、锰、铁、 钯、铂、铝、及它们的组合所组成的组群中。 13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该种子 层包含一金属其系选自于由铜、镍、钨、钼、钴 、钌、钛、锆、铪、铌、钽、钒、铬、锰、铁、 钯、铂、铝、及它们的组合所组成的组群中,及该 玻璃基板包含一材料其系选自于由未被掺杂的矽 酸玻璃(USG)、掺杂磷的玻璃(PSG)、掺杂硼磷的玻璃 (BPSG)、钠钙玻璃、硼矽酸盐玻璃、硼矽酸钠玻璃 、硷金属硼矽酸盐玻璃、铝矽酸盐玻璃、铝硼矽 酸盐玻璃、硷土铝硼矽酸盐玻璃、硷土金属铝硼 矽酸盐玻璃、或它们的组合所组成的组群中。 14.如申请专利范围第9项所述之方法,其更包含在 该种子层的沉积之前沉积一阻障层于该玻璃基板 的一表面上。 15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该种子 层系利用一选自于由热化学气相沉积、电浆化学 气相沉积、原子层沉积、蒸发、及它们的组合所 组成的组群中的处理来沉积的。 16.一种形成一使用在一主动矩阵液晶显示器(AMLCD) 中的电晶体的方法,该方法至少包含: 提供一玻璃基板; 形成一或多层经掺杂的半导体层,其上具有源极区 及汲极区; 形成一或多层闸极介电层于该一或多层经掺杂的 半导体层上; 形成一或多个金属闸极于该一或多层闸极介电层 上,其系藉由: 沉积一导电种子层于一或多层闸极介电层上; 沉积一抗蚀剂材料于该导电种子层上; 将该抗蚀剂层形成图案用以露出部分的导电种子 层; 利用电化学沉积来沉积一金属层于该导电种子层 的外露部分上;及 去除该抗蚀剂材料; 沉积一中间层介电材料于该基板上及在该一或多 个金属闸极上; 将该一或多层闸极介电层及该中间层介电材料形 成图案,用以形成露出底下的源极区与汲极区的特 征结构轮廓;及 沉积一金属层于该等特征结构轮廓中以形成一接 点。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其更包含在 形成一经掺杂的半导体层之前,沉积一介电层于该 玻璃基板上。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其更包含蚀 刻外露的导电种子层材料。 19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该电化 学沉积技术包含电镀或无电沉积。 20.一种形成一使用在一主动矩阵液晶显示器(AMLCD) 中的电晶体的方法,该方法至少包含: 提供一玻璃基板; 形成一或多层经掺杂的半导体层,其中形成有源极 区及汲极区; 形成一或多层闸极介电层于该一或多层经掺杂的 半导体层上; 形成一或多个金属闸极于该一或多层闸极介电层 上,系藉由: 沉积一导电种子层于该一或多层闸极介电层上; 沉积一抗蚀剂材料于该导电种子层上; 将该抗蚀剂层形成图案,用以露出该导电种子层; 蚀刻该导电种子层的外露部分; 去除该抗蚀剂材料;及 利用电化学沉积来沉积一金属层于该导电种子层 的其余部分上; 沉积一中间层介电材料于该基板上及在该一或多 个金属闸极上; 将该一或多层闸极介电层及中间层介电材料形成 图案,用以形成露出底下的源极区与汲极区的特征 结构轮廓;及 沉积一金属层于该等特征结构轮廓中以形成一接 点。 21.如申请专利范围第20项所述之方法,其中该电化 学沉积技术包含电镀或无电沉积。 图式简单说明: 第1图为一先前技术的底部闸极薄膜电晶体的剖面 示意图; 第2图为一流程图,其显示依据本发明的一实施例 在沉积层时所采取的步骤; 第3A-3J图为在本发明的一实施例中层形成的剖面 图; 第4图为一流程图,其显示依据本发明的另一实施 例在沉积层时所采取的步骤; 第5A-5F图为在本发明的另一实施例中层形成的剖 面图;及 第6A-6D图为在本发明的另一实施例中层形成的剖 面图。 |
