| 发明名称 | 异质结双极晶体管的结构及方法 | ||
| 摘要 | 按照一个公开的实施例，形成重掺杂的子集电极(210)。接着，在重掺杂的子集电极(210)之上制造集电极(230)，其中集电极(230)包括邻近子集电极(210)的中等掺杂的集电极层(232)和在中等掺杂的集电极层(232)上面的低掺杂的集电极层(234)。中等掺杂的集电极层(232)和低掺杂的集电极层(234)包括分别掺杂了近似5×10<SUP>16</SUP>cm<SUP>-3</SUP>到近似1×10<SUP>18</SUP>cm<SUP>-3</SUP>的硅的GaAs，和掺杂了近似1×10<SUP>16</SUP>cm<SUP>-3</SUP>到近似3×10<SUP>16</SUP>cm<SUP>-3</SUP>的硅的GaAs。此后，在集电极(230)上生长基极(212)，在基极(212)上淀积发射极(214)。HBT的集电极(230)防止耗尽区到达不过度阻止耗尽区扩展的子集电极(210)。结果，阻止了子集电极(210)中的丝化现象，但是HBT的性能保持最优化。 | ||
| 申请公布号 | CN100394582C | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN02825577.1 | 申请日期 | 2002.11.18 |
| 申请人 | 空间工程股份有限公司 | 发明人 | R·S·伯顿;A·萨梅利斯;H·育西克 |
| 分类号 | H01L21/8222(2006.01);H01L31/0328(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8222(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 谢喜堂 |
| 主权项 | 1.一种制造异质结双极晶体管的方法，所述方法包括步骤：形成高掺杂的子集电极；在所述高掺杂的子集电极上制造集电极，所述集电极包括邻近所述高掺杂的子集电极的中等掺杂的集电极层和在所述中等掺杂的集电极层之上的低掺杂的集电极层，所述中等掺杂的集电极层是均匀掺杂的；在所述集电极上生长基极；在所述基极上淀积发射极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||