| 发明名称 | 栅极侧墙的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极侧墙的制造方法，包括：提供一具有栅极的半导体基底，在所述半导体基底上沿所述栅极表面形成有介质层；测量所述栅极侧壁的介质层的厚度，并计算所述厚度与侧墙目标厚度的差值；根据所述差值和对所述介质层的刻蚀速率计算刻蚀时间T；对所述介质层进行T时间刻蚀。该方法能够弥补沉积的介质层的厚度的变化，克服由于介质层厚度不同引起的刻蚀后侧墙厚度一致性不好问题。 | ||
| 申请公布号 | CN101197275A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200610119167.5 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杜珊珊;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/311(2006.01);H01L21/66(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/311(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种栅极侧墙的制造方法，包括：提供一具有栅极的半导体基底，在所述半导体基底上沿所述栅极表面形成有介质层；测量所述栅极侧壁的介质层的厚度，并计算所述厚度与侧墙目标厚度的差值；根据所述差值和对所述介质层的刻蚀速率计算刻蚀时间T；对所述介质层进行T时间刻蚀。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||