| 发明名称 | 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池 | ||
| 摘要 | 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2)，在n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间可加入第一种本征薄膜硅层(5)；亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间加入第二种本征薄膜硅层(6)和/或p型掺杂薄膜硅层(7)；在前透明导电电极(4)上还可以有金属栅线(8)。 | ||
| 申请公布号 | CN101197399A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710304230.7 | 申请日期 | 2007.12.26 |
| 申请人 | 中国科学院电工研究所 | 发明人 | 赵雷;王文静;刁宏伟 |
| 分类号 | H01L31/072(2006.01);H01L31/075(2006.01);H01L31/06(2006.01);H01L31/036(2006.01) | 主分类号 | H01L31/072(2006.01) |
| 代理机构 | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人 | 关玲;成金玉 |
| 主权项 | 1.一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其特征在于该太阳能电池包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2)，在所述n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村北二条6号 | ||