| 发明名称 | 高压晶体管和存储器的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；去除第二多晶硅层；形成栅极。相应地，本发明还提供一种高压晶体管的形成方法和一种存储器的形成方法，本发明通过先去除形成在半导体衬底上第一多晶硅层和层间介质层上的第二多晶硅层，然后定义刻蚀第一多晶硅层和层间介质层形成栅极，避免了去除第二多晶硅层不干净的造成残留问题，防止了由于第二多晶硅残留问题使得高压晶体管产生泄漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN101197263A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200710126599.3 | 申请日期 | 2007.06.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王友臻;洪中山;宋建鹏;金贤在 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8247(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种栅极形成方法，包括：(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底形成有第一氧化硅层、第一多晶硅层和层间介质层；(b)在所述半导体衬底上形成第二多晶硅层；(c)去除第二多晶硅层；(d)形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||