| 发明名称 | 钌合金溅射靶 | ||
| 摘要 | 一种钌合金溅射靶，通过将钌粉末和比钌更容易形成氧化物的金属粉末的混合粉末进行烧结而得到，其中，除气体成分外的靶纯度为99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比钌更容易形成氧化物的金属，相对密度为99％以上，作为杂质的氧含量为1000ppm以下。本发明的课题在于提供一种钌合金溅射靶，所述溅射靶能够减少钌合金溅射靶中存在的氧，减少溅射时电弧放电或颗粒的产生，提高烧结密度从而提高靶强度，并且为了防止在Si半导体中微量添加的B及P的组成变动而严格限制靶中的B及P杂质量，从而提高成膜的质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101198717A | 申请公布日期 | 2008.06.11 |
| 申请号 | CN200680021642.3 | 申请日期 | 2006.05.16 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | 发明人 | 小田国博 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01);B22F3/00(2006.01);H01L21/285(2006.01) | 主分类号 | C23C14/34(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 王海川;樊卫民 |
| 主权项 | 1.一种钌合金溅射靶，通过将钌粉末和比钌更容易形成氧化物的金属粉末的混合粉末烧结而得到，其中，除气体成分外的靶纯度为99.95重量％以上，含有5原子％至60原子％的比钌更容易形成氧化物的金属，相对密度为99％以上，作为杂质的氧含量为1000ppm以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||