| 摘要 |
Ein Flash-Speicherelement (2000) umfasst ein Feld (2100) mit Speicherzellen, die in Zeilen und Spalten angeordnet sind; eine Pumpschaltung (2500), die dazu ausgebildet ist, eine Pumpspannung (Vpump) zu erzeugen; einen Regler (2600), der die Pumpspannung (Vpump) einstellt und der eine Hochspannung (Vpp) zu dem Feld (2100) liefert; und eine Stromsenkeschaltung (2700), die eine Zellstrommenge detektiert, die durch ausgewählte Speicherzellen während einer Programmieroperation verbraucht wird, und die einen Dummyzellstrom von einem Ausgang der Pumpschaltung (2500) ableitet, der gleich der Differenz zwischen dem detektierten Zellstrom und dem maximalen Zellstrom ist.
|
