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发明名称 Diodenstruktur und integrale Leistungsschaltanordnung mit Low-Leakage-Diode
摘要
申请公布号 DE10351014(B4) 申请公布日期 2008.06.05
申请号 DE2003151014 申请日期 2003.10.31
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 JENSEN, NILS
分类号 H01L27/082;H01L21/76;H01L23/58;H01L23/62;H01L27/02;H01L29/06;H01L29/861 主分类号 H01L27/082
代理机构 代理人
主权项
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