| 发明名称 | 制造Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>N（0≤x≤1）晶体的方法、Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>N（0≤x≤1）结晶衬底、制造GaN晶体的方法、GaN结晶衬底和产品 | ||
| 摘要 | 利用HVPE制造GaN晶体的常规方法看起来具有通过在高于1100℃的温度下制造GaN晶体提高GaN晶体结晶度的可能性。然而，这种常规方法具有石英反应管(1)在由加热器(5)和(6)加热到高于1100℃的温度时熔融的问题。这里公开了一种制造Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>N(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，由包含氨气和卤化镓气体与卤化铟气体的至少一种的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>N(0≤x≤1)晶体(12)来制造Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>N(0≤x≤1)晶体，其中在Ga<SUB>x</SUB>In<SUB>1－x</SUB>N(0≤x≤1)晶体(12)生长期间，外部地加热石英反应管(1)并且单独地加热基衬底(7)。 | ||
| 申请公布号 | CN101194053A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200680020842.7 | 申请日期 | 2006.08.17 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 上村智喜;藤原伸介;冈久拓司;弘田龙;中幡英章 |
| 分类号 | C30B29/38(2006.01);C23C16/34(2006.01);C23C16/46(2006.01);C30B25/10(2006.01) | 主分类号 | C30B29/38(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造GaxIn1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的方法，该方法通过在石英反应管(1)中，通过包含卤化镓气体与卤化铟气体中至少一种以及氨气的材料气体的反应，在基衬底(7)的表面上生长GaxIn1-xN(0≤x≤1)晶体(12)来制造GaxIn1-xN(0≤x≤1)晶体，其中在所述GaxIn1-xN(0≤x≤1)晶体(12)的生长期间，外部地加热所述石英反应管(1)并且单独地加热所述基衬底(7)。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||