| 发明名称 | 用二氟化氙选择性蚀刻氮化钛 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于从常见于半导体沉积室装置和工具中的二氧化硅(石英)和SiN表面选择性蚀刻TiN的改进方法。在该方法中，其上具有TiN的SiO<SUB>2</SUB>或者SiN表面和XeF<SUB>2</SUB>在接触区中接触，从而选择性地将TiN转变成挥发性物质，然后从所述接触区去除所述挥发性物质。XeF<SUB>2</SUB>可以通过Xe和氟化合物的反应而预先形成或者原位形成。 | ||
| 申请公布号 | CN101192508A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610162431.3 | 申请日期 | 2006.11.22 |
| 申请人 | 气体产品与化学公司 | 发明人 | 吴定军;E·J·小卡瓦克基 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/3213(2006.01);C23C16/00(2006.01);B08B7/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吕彩霞;段晓玲 |
| 主权项 | 1.用于从含有二氧化硅或者氮化硅的表面选择性蚀刻氮化钛的方法，包括以下步骤：将所述含有二氧化硅或者氮化硅的表面和含有二氟化氙的蚀刻剂气体在接触区中接触，从而在所述二氧化硅或者氮化硅转变成挥发性组分之前优先将所述氮化钛选择性转变成挥发性物质；和从所述接触区去除所述挥发性物质。 | ||
| 地址 | 美国宾夕法尼亚州 | ||