| 发明名称 | 磁记录介质及其制造方法和磁记录设备 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种具有高抗腐蚀性和高Bs的磁记录介质、一种制造该磁记录介质的方法和一种磁记录设备。使用磁层作为记录层的磁记录介质具有垂直磁各向异性。在记录层之下形成的软磁衬层(上软磁衬层和下软磁衬层)包括添加有Ta和Nb中的至少一种元素以及Cr的FeCoZr合金。这种磁记录介质包括具有高抗腐蚀性和高Bs的软磁衬层，因此呈现出高Hc记录性能和高S/N性能。 | ||
| 申请公布号 | CN101192417A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200710169484.2 | 申请日期 | 2007.11.16 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 贝津功刚;稻村良作 |
| 分类号 | G11B5/64(2006.01);G11B5/66(2006.01);G11B5/73(2006.01) | 主分类号 | G11B5/64(2006.01) |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张龙哺 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括：非磁衬底；包括FeCoZr合金的软磁衬层，形成在所述非磁衬底上方，所述FeCoZr合金添加有Ta和Nb中的至少一种元素并且还添加有Cr；中间层，形成在所述软磁衬层上方；以及记录层，形成在所述中间层上方，所述记录层呈现出垂直磁各向异性。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县川崎市 | ||