| 发明名称 |
Improved techniques for etching a silicon dioxide-containing layer |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0905757(B1) |
申请公布日期 |
2008.06.04 |
| 申请号 |
EP19980115706 |
申请日期 |
1998.08.20 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
KIRCHHOFF, MARKUS M.;HANEBECK, JOCHEN |
| 分类号 |
C23F4/00;H01L21/311;H01L21/302;H01L21/3065;H01L27/10 |
主分类号 |
C23F4/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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