| 发明名称 | 半导体器件的栅极制造方法和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成的介质层，以及在所述介质层表面形成的栅极，其特征在于：所述栅极为T形结构，所述T形结构具有下层多晶硅层和p型原位掺杂的上层多晶硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN101192523A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610118828.2 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴汉明;张海洋;陈海华;马擎天 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01);H01L29/49(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件的栅极制造方法，包括：在半导体衬底上形成介质层；在所述介质层表面淀积第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层表面淀积第二多晶硅层并对所述第二多晶硅层进行p型掺杂；干法刻蚀所述第一多晶硅层和第二多晶硅层形成栅极。 | ||
| 地址 | 201203上海市浦东新区张江路18号 | ||