| 发明名称 | 半导体元件埋入承载板的叠接结构及其制法 | ||
| 摘要 | 一种半导体元件埋入承载板的叠接结构及其制法，包括：分别形成有至少一贯穿开口的第一及第二承载板；至少一接置在该第一及第二承载板开口中的第一及第二半导体元件，该半导体元件具有多个电极垫的主动面及相对的非主动面；以及一包括有第一、第二及结合层的介电层结构，夹设在该第一承载板及该第二承载板之间，该第一介电层形成在该第一承载板表面及该第一半导体元件的非主动面，且填充于该第一承载板与该第一半导体元件间的间隙中，该第二介电层形成在该第二承载板表面及该第二半导体元件的非主动面，且填充于该第二承载板与该第二半导体元件间的间隙中，该结合层夹设在该第一介电层与该第二介电层之间。 | ||
| 申请公布号 | CN101192547A | 申请公布日期 | 2008.06.04 |
| 申请号 | CN200610160540.1 | 申请日期 | 2006.11.28 |
| 申请人 | 全懋精密科技股份有限公司 | 发明人 | 张家维;连仲城 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01);H01L21/58(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L23/13(2006.01);H01L23/498(2006.01) | 主分类号 | H01L21/50(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 1.一种半导体元件埋入承载板的叠接结构的制法，包括：提供一具有至少一贯穿开口的第一及第二承载板，且该第一及第二承载板一表面分别形成一第一及第二压合层以分别封住该第一及第二承载板的开口，并将至少一具有主动面与主动面相对应的非主动面的第一及第二半导体元件分别接置在该第一及第二承载板的开口中；在该第一及第二承载板未形成该第一及第二压合层的一侧表面及该第一及第二半导体元件的主动面分别形成一第一保护层及第二保护层；加热压合该第一压合层、第一承载板及第一保护层，且加热压合该第二压合层、第二承载板及第二保护层以分别形成埋设有第一半导体元件的第一承载结构及埋设有第二半导体元件的第二承载结构；以及该第一及第二承载结构之间以背对背方式夹设一结合层并进行压合。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||