微晶矽或奈米晶矽薄膜之制备方法

摘要

一种微晶矽或奈米晶矽薄膜之制备方法,系利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition, CVD)将非晶矽薄膜沉积在基板上,再设定有机金属化学气相沈积法(metalorganicchemical vapor deposition, MOCVD)之反应室环境,将基板温度保持在矽-铝共析温度(575℃)以下,以铝有机金属材料(trimethylaluminum, TMA)作为铝原子来源,以氢气为输送气体,置于该反应室中,而当TMA碰触到高温的基板表面时,会释放铝原子并沉积在基板的表面层,进而扩散进入非晶矽薄膜内形成矽-铝金属化合物,藉由控制铝原子沉积时间或铝原子浓度,及控制退火时间的长短,可以获得微晶矽或奈米晶矽之薄膜。