| 主权项 |
1.一种制造向列液晶装置的方法,该方法的特征在 于它包括了下列步骤: -将一聚(氯乙烯)聚合物或共聚合物沈淀到一基板 上; -稳定该聚合物沈淀,利用将该聚合物沈淀暴露在 一热处理环境或一曝晒条件下,以使该聚合物沈淀 不能在该液晶物质中溶解(non-soluble)并且保留该聚 合物沈淀的固位性质; -对该沈淀形成一方位方向性,如此可对液晶诱导 受控的方位固位; 其目的是为了要在它的限制板中至少一片上获得 液晶低能量顶峰固位。 2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该稳定 程序采用紫外线光源曝照。 3.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该稳定 程序采用一次或多次的退火程序。 4.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该稳定 程序中利用曝照之前及/或之后再退火之程序。 5.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该聚合 物是由包括:聚(氯乙烯)及一由(氯乙烯-醋酸乙烯) 共聚物的族群中选取。 6.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该聚合 物是一基于聚(氯乙烯)-聚(醋酸乙烯酯)的三聚物 。 7.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于该聚合 物是一基于聚(氯乙烯)-聚(醋酸乙烯酯)的三聚物, 其中该第三单体是羟基丙基或乙烯醇。 8.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于该退火 步骤是在聚合物融点(mp)以下的温度进行。 9.如申请专利范围第3项之方法,其特征在于该退火 步骤进行的时间长度是1小时30分钟。 10.如申请专利范围第2项之方法,其特征在于该曝 照是利用波长范围在180纳米(nm)到400纳米(nm)的紫 外线光进行的。 11.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于形成 液晶受控方位固位的步骤是利用聚氯乙烯(PVC)聚 合物或聚氯乙烯-聚乙烯醋酸(PVC-PVAc)以纺织品覆 盖的滚轮磨擦而得到。 12.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于形成 液晶受控方位固位的步骤是利用将聚合物沈淀到 一已经利用特别处理而呈现各向异性的基板上,该 特别处理是:另外刮刷过的或拉伸的聚合物;氧化 矽或另外蒸发的氧化物;一光栅(蚀刻的,印刷的,光 诱发的)。 13.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该聚 合物是利用离心力作用方式沈淀到基板。 14.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该聚 合物是一以酮类为基础的溶液。 15.一种双稳态向列液晶装置,至少包括一具有弱的 顶峰能量之固定位层,其制造成份是一种基于聚( 氯乙烯)的聚合物或共聚物,是依据申请专利范围 第1项中所述之方法获得。 16.如申请专利范围第15项的装置,其特征在于该聚 合物是从一群包括:聚(氯乙烯),一(氯乙烯-醋酸乙 烯)共聚物,一个基于聚(氯乙烯)-聚(醋酸乙烯酯)的 三聚物中选取。 17.如申请专利范围第15项的装置,其特征在于该具 弱顶峰能量的固位层是沈淀在一透明的或反光的 电极上。 18.如申请专利范围第14项之方法,其中溶液可为甲 基乙基甲酮(methylethylketone)及二甲替甲醯胺( dimethyformamide)。 |
