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发明名称
晶片上条纹式电感器
摘要
本发明提供一种次100奈米半导体装置及用以制造装置之方法及程式产品,特别是,电感器包括设置于一介电质表面之复数个间隔平行金属线,且其每一具有决定为设计规则检测规则之函数的宽度、高度、间隔、及横截面积。针对一平坦化制程规则,决定并产生了80%金属对于20%介电质表面的一金属密度比例。在一范例中,金属线间隔空隙的总和小于金属线内部侧壁高度的总和。在一方面,选择线高度、宽度、及线间隔尺寸之至少之一,以最佳化一或多个晶片良率、晶片效能、晶片可制造性、及电感器Q系数参数。
申请公布号
TW200823936
申请公布日期
2008.06.01
申请号
TW096136274
申请日期
2007.09.28
申请人
万国商业机器公司
发明人
赵忠衍;金大益;金锺海;穆J. 金;尚奥立佛 普洛查特;罗伯E. 崔新斯基
分类号
H01F17/00(2006.01);H01F27/28(2006.01);H01F41/04(2006.01)
主分类号
H01F17/00(2006.01)
代理机构
代理人
蔡玉玲
主权项
地址
美国
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