经磊晶涂覆之半导体晶圆及制造经磊晶涂覆之半导体晶圆之装置与方法

摘要

本发明系关于一种用于制造经磊晶涂覆之半导体晶圆之方法,其中系制备复数个至少在其正面上经抛光的半导体晶圆,并且依次个别透过化学气相沉积法在磊晶炉内于800至1200℃的温度下将一磊晶层涂覆至该经抛光之正面上,逐一地将一片所制备的半导体晶圆支撑在本发明用于在磊晶炉内透过化学气相沉积法沉积一层于一半导体晶圆之正面上的期间内支撑该半导体晶圆的装置上,该装置包含一具有透气性结构的基座及位于该基座上作为该基座与所支撑的半导体晶圆间之热缓冲器的环,以使该半导体晶圆藉该环而支撑住,该半导体晶圆的背面朝向具有透气性结构之基座底部但不接触该基座,从而透过气体扩散使气态物质从该半导体晶圆的背面处区域通过该基座导入该基座的背面处区域内,且该半导体晶圆仅在其背面之边缘区域内与该环相接触,且于该半导体晶圆内完全不会产生利用光弹性应力测量法(SIRD)可测得之应力。