| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体,包含: 一绝缘基板; 一闸极电极、一闸极绝缘膜以及第一半导体膜图 案,依序形成于该绝缘基板上; 第二半导体膜图案,包含高密度杂质,其系分离地 设置于该第一半导体膜图案上,且在两侧处彼此面 对;以及 一第一电极以及一第二电极,两电极中的每一个皆 形成于彼此面对的该第二半导体膜图案上, 其中该第一电极和第二电极之间的该第一半导体 膜图案之一区域构成该薄膜电晶体的一通道部份; 其中该第一半导体膜图案包含从第二半导体膜图 案之缘部向外侧突出的突出部份,且在该第一半导 体膜图案之该突出部份中的至少一部份表面被粗 糙化;以及 其中该第一半导体膜图案的该突出部份之表面粗 糙度大于在该通道部份处之该第一半导体膜图案 的表面粗糙度。 2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,该第 一半导体膜图案的该突出部份之粗化表面的粗糙 度(Rmax)大于或等于30 nm。 3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,该第 一半导体膜图案的材料为非晶矽,而该第二半导体 膜图案的材料为n+型非晶矽。 4.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,该第 一和第二电极以及该闸极电极之材料包含从Al、Mo 、Cr、Ta、Ti及W所构成之群组中的至少一元素。 5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,该闸 极绝缘膜系选择自SiN膜以及由SiO2膜和SiN膜所构成 之多层膜其中之一。 6.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体,其中,在该 绝缘基板上更形成有一钝化膜,该钝化膜覆盖了该 闸极绝缘膜、该第一半导体膜图案、该第二半导 体膜图案,以及该第一电极和该第二电极。 7.如申请专利范围第6项之薄膜电晶体,其中,该钝 化膜上形成了一透明导电膜,且该透明导电膜系透 过形成于该钝化膜中的开口而电性连接至该第一 电极及该第二电极之任一者。 8.如申请专利范围第6项之薄膜电晶体,其中,该钝 化膜系由SiN所构成。 9.如申请专利范围第7项之薄膜电晶体,其中该透明 导电膜由氧化铟锡膜所构成。 10.一种薄膜电晶体的制造方法,包含: 在一闸极绝缘膜的表面上逐步地形成由一第一半 导体膜、含有高密度杂质的一第二半导体膜、以 及一金属膜所构成的一多层膜,其中该闸极绝缘膜 覆盖一绝缘基板上的一闸极电极; 在该金属膜上形成光阻膜图案; 藉由利用该光阻膜图案作为遮罩来蚀刻该多层膜, 以形成由该第一半导体膜,该第二半导体膜,以及 该金属膜所构成的多层膜图案; 藉由蚀刻在欲形成来作为该薄膜电晶体之通道部 份之该第一半导体膜的区域上方之层中的该光阻 膜图案的一部份,以进行选择性移除; 藉由以残余的该光阻膜图案作为遮罩,选择性地蚀 刻该多层膜图案的该金属膜,以分成一第一电极和 一第二电极; 藉由如下两步骤来形成一通道区域:以该光阻膜图 案作为遮罩,利用蚀刻来移除在曝露于该第一电极 和该第二电极间的该多层膜图案中的该第二半导 体膜;以及曝露该第一半导体膜,同时侧边蚀刻该 第一电极、该第二电极和该第二半导体膜,使该第 一半导体膜的周边部份自该第二半导体膜的缘部 突出;以及 于移除该光阻膜图案时,将该第一半导体膜的周围 中之该突出部份的该表面粗糙化; 其中在该第一半导体膜之该突出部份处之该粗化 表面的表面粗糙度大于在该通道部份处之该第一 半导体膜的表面粗糙度。 11.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方 法,更包含: 在移除该光阻膜图案的步骤之后,于该绝缘基板的 所有表面上形成一具有绝缘性质的钝化膜。 12.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方 法,关于形成于该金属膜上的该光阻膜图案,其在 该第一电极和第二电极间之区域的厚度小于该第 一电极和该第二电极之该区域的厚度。 13.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方 法,于该绝缘基板的该所有表面上形成具有绝缘性 质的该钝化膜的步骤后,更包含: 形成一开口,该开口在该钝化膜中触抵该第一电极 和该第二电极之任一者; 在包含该开口之一壁的该钝化膜上形成一透明导 电膜,然后将该透明导电膜电性连接至该电极其中 之一。 14.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方 法,其中在该第一半导体膜之该突出部份处之该粗 化表面的表面粗糙度(Rmax)系大于或等于30 nm。 15.如申请专利范围第10项之薄膜电晶体的制造方 法,其中该第一半导体膜的材料为非晶矽,而该第 二半导体膜的材料为n+型非晶矽。 16.一种薄膜电晶体的制造方法,包含: 在一闸极绝缘膜的表面上逐步地形成由一第一半 导体膜、含有高密度杂质的一第二半导体膜、以 及一金属膜所构成的一多层膜,其中该闸极绝缘膜 覆盖一绝缘基板上的一闸极电极; 在该金属膜上形成光阻膜图案; 藉由利用该光阻膜图案作为遮罩来蚀刻该多层膜, 以形成由该第一半导体膜、该第二半导体膜、以 及该金属膜所构成的多层膜图案; 藉由蚀刻在欲形成来作为该薄膜电晶体之通道部 份之该第一半导体膜的区域上方之层中的该光阻 膜图案的一部份,以进行选择性移除; 以残余的该光阻膜图案作为遮罩,选择性地蚀刻该 多层膜图案中的该金属膜,以分成一第一电极和一 第二电极; 藉由如下两步骤来形成一通道区域:在移除该光阻 膜图案后,以该第一电极和该第二电极作为遮罩, 利用蚀刻来移除在曝露于该第一电极和该第二电 极间的该多层膜图案中的该第二半导体膜;以及曝 露该第一半导体膜,同时侧边蚀刻该第一电极、该 第二电极和该第二半导体膜,使该第一半导体膜的 周边部份自该第二半导体膜的缘部突出,并将在该 第一半导体膜之该周围处之该突出部份粗糙化;以 及 于该绝缘基板的所有该表面上形成一具有绝缘性 质的钝化膜; 其中在该第一半导体膜之该突出部份处之该粗化 表面的表面粗糙度大于在该通道部份处之该第一 半导体膜的表面粗糙度。 图式简单说明: 图1A和1B为习知TFT的横剖面图; 图2为另一习知TFT的横剖面图; 图3A为本发明之一实施例的TFT平面图; 图3B为本发明的实施例之TFT的第一半导体膜之周 围区域平面图,不包含通道区,其系使用斜线表示; 图4A为沿图3A之I-I线切开的横剖面图; 图4B为沿图3B之I-I线切开的横剖面图; 图4C为图3A的半导体膜之周围表面之不连续剖面放 大图,不包含通道区; 图5A至5D为表示在个别步骤中之本发明之TFT制造方 法的第一范例之横剖面图; 图6A至6C为,表示在图5D后的个别步骤中之本发明之 TFT制造方法的第一范例之横剖面图; 图7绘示了使用在本发明之TFT制造的光罩图案; 图8A至8C为表示在本发明之TFT制造方法的第二范例 之步骤期间的横剖面图。 |
