相变化记忆体装置及其制造方法

摘要

一种相变化记忆体装置,包括:一基板,其包括一叠层结构,上述叠层结构包括复数个绝缘层和复数个导电层,其中任两层相邻的上述导电层系被上述复数个绝缘层的其中之一隔开;一第一电极结构,形成于上述叠层结构上,且上述第一电极结构具有一第一侧壁和一第二侧壁;复数个加热电极,设置于复数个上述导电层上,且邻接于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁;以及一对相变化材料间隙壁,设置于上述第一电极结构的上述第一侧壁和上述第二侧壁上,且覆盖于上述复数个加热电极上。